Ученые приблизились к пониманию новых карт памяти следующего поколения.
Материал для современных новых карт памяти открыли исследовали института Samsung при совместной работе со специалистами из Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и Кембриджского университета.
Новый материал получил название аморфный нитрид бора (a-BN). Благодаря этому открытию, уверены ученые, они заметно приблизились к появлению полупроводниковых материалов нового поколения.
Аморфный нитрид бора обладает самой низкой диэлектрической непроницаемостью в своем классе. Этот материал можно использовать как изолирующий, благодаря чему помехи, вызванные электроникой будут сведены к минимальному значению.
